jueves, 28 de mayo de 2020
sábado, 18 de abril de 2020
PROGRAMACIÓN
La entrega de las asignaciones debe realizarse sin excepción hasta las fechas
siguientes:
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ASIGNACIÓN
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FECHA
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EXAMEN PARCIAL 1 Y 2
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07/11/2025 Y 23/11/2025 RESPECTIVAMENTE
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SIMULACIONES 1 AL 9
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11/12/2025
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RECUPERATIVO | 16/01/2026 |
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PROYECTO
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30/01/2026
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Se les recuerda que las asignaciones a entregar son originales no copias de
otros autores.
EVALUACIÓN
PLAN DE EVALUACIÓN
EVALUACIÓN
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CONTENIDO (MÓDULOS)
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%
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PARCIAL I
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Promedio de Notas Examen parcial 1 y 2
| 25 |
| PARCIAL II | Promedio de Notas Simulaciones 1 al 3 y Proyecto |
25
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PARCIAL III
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Promedio de Notas de Simulaciones 4 al 6 y Proyecto
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25
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PARCIAL IV (LABORATORIO)
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Promedio de Notas de Simulaciones 7 al 9 y Proyecto
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25
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TOTAL
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100
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NOTA:El Examen Recuperativo se realiza a la falta de asistencia de un Examen Parcial Presencial, sustituyendo la nota del ûnico examen faltante. Recuerde que la redacción debe ser absolutamente de su propiedad intelectual así como las partes constitutivas de las simulaciones y el proyecto, salvo los registros propios del HFSS; se pueden establecer citas si es necesario (debidamente elaboradas).
Por ûltimo, la asistencia presencial es obligatoria como requisito de aprobaciôn del curso
MÓDULOS
Introducción:
discusión plan del curso. Dimensiones físicas y longitud de onda.
1.
Materiales para alta frecuencia.
Materiales ferromagnéticos; sustratos; metamateriales; materiales quirales;
dispositivos semiconductores en microondas: diodos de barrera
Schottky, transistores de unión p-n o transistores de efecto de campo (FETs).
Dentro de esta amplia gama hay varios tipos de dispositivos: gran variedad de
diodos de barrera Schottky, transistores de unión bipolar (BJTs), de
heterounión bipolar (HBTs), FETs con epitaxia metal semiconductor (MESFET),
transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs), transistores
metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y transistores de unión FET (JFET).
Conectores.
2.
Teoría general de circuitos de microondas. Líneas de Transmisión
en Microondas: Guías de Onda y Microcinta Aplicaciones de Microondas. Descripción de circuitos de microondas en términos de
impedancias. Matriz de parámetros de dispersión (Scattering) [S]. Estudio
particular de redes de dos puertos. Matriz de transmisión. Técnicas de
simetría. Flujogramas. Simuladores en alta frecuencia (SONNET).
3.
Dispositivos Pasivos de Microondas I:
Redes de 1 puerto:Componentes Discretos: Resistencias, Capacidades,
Inductancias, Circuitos Resonantes y Resonadores. Redes de 2
puertos:Atenuadores, adaptadores y filtros.
4.
Dispositivos Pasivos de Microondas
II: Redes de 3 y 4 puertos: Divisores y Combinadores de Señales, Diplexores
y Duplexores, Circuladores, Aisladores. Redes de 4 puertos: Acopladores
Direccionales e Híbridos de 3-dB.
5.
Dispositivos Activos de Microondas: Introducción a los Amplificadores
de microondas con transistores. Diagrama de
bloques de un amplificador monoetapa. Parámetros de interés; Osciladores. Osciladores Gunn. Diodos
Impatt. Osciladores a transistor; Tubos
de microondas. Klystron. Magnetrón. Tubos de onda progresiva.
6.
Circuitos Integrados para
microondas: Circuitos Híbridos, Circuitos Integrados Monolíticos (MMIC),
Herramientas de diseño y Simulación, Encapsulados de Alta Frecuencia, Unidades
Ensambladas de Microondas y Tecnología MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems).
REFERENCIAS
REFERENCIAS
Microwave Engineering.
David M. Pozar. John Wiley & Sons,Inc.
Foundations for
Microwave Engineering, de R.E. Collin McGraw Hill 1992.
Microwave Solid State
Circuit Design, de I. Bahl; John Wiley & Sons.
DESCRIPCIÓN
El ecosistema del curso se orienta a la aplicación de las teorías de Líneas de Transmisión y Campos Electromagnéticos en el diseño y
construcción de dispositivos pasivos básicos a microcinta en el rango de frecuencias de
microondas.
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| TECNOLOGÍAS PARA CIUDADES INTELIGENTES |
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